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针对VO2薄膜在微测辐射热计上的应用,采用射频反应溅射法,在室温下制备氧化钒薄膜;研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压,先获得成分接近VO2的非晶化薄膜,再在400℃空气中氧化退火,便可制得高电阻温度系数,低电阻率的VO2薄膜,电阻温度系数约为-4%/℃,薄膜方块电阻为R□为100—300kΩ;薄膜在室温下沉积,400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic
关键词:
二氧化钒
电阻温度系数
氧分压
射频反应溅射法 相似文献
3.
The relation between the total variation of classical field theory and the multisymplectic structure is shown. Then the multisymplectic structure and the corresponding multisymplectic conservation of the coupled nonlinear Schrodinger system are obtained directly from the variational principle. 相似文献
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主要介绍了利用兰州重离子加速器提供的270 MeV的40Ar离子束轰击238U靶,通过熔合蒸发反应进行试合成Z=110附近的新同位素的实验情况。分析了目前关于超重核研究的现状并描述了这次实验的目的、 可行性分析、 实验装置以及实验过程等。本次实验仍然用氦喷嘴技术对产物进行传输, 并用一套具有数对探测器组的转轮收集探测系统对产物进行收集和测量。 The state of the experiment to produce the new isotopes around Z=110 are presented in this paper. The emphasis is laid upon introducing the experiment purpose, the set up and the feasibility for producing this objective nuclide. In the experiment the new isotopes were produced by the complete fusion evaporation reaction of 238U with 270 MeV 40Ar at the Sector Focus Cyclotron (SFC) of Heavy Ion Research Facility in Lanzhou(HIRFL). The reaction products were also transported and collected by using the helium jet technique and rotating wheel apparatus. 相似文献
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用提拉法生长了Lu2Si2O7:Ce晶体,对该晶体的闪烁性能进行了研究。透射光谱表明,Lu2Si2O7:Ce晶体的吸收边比Lu2SiO5:Ce晶体向短波方向移动了25nm,使透光范围进一步拓宽。X射线发射光谱和UV激发发射光谱均具有典型的双峰特征,主峰在378nm。UV激发发射谱具有温度效应,即375K以上时,发光效率迅速降低;425K以上时,发光主峰位明显红移。衰减曲线符合单指数式衰减规律,常温下经UV激发后的衰减时间约为34ns。从曲线形态看,375K以下的衰减谱与室温下的几乎完全相同,拟合的结果在32.8~34ns之间;衰减时间的温度效应从375K开始显现,即随温度的升高,衰减时间有加速变短的趋势,到500K时缩短为6.72ns。热释光谱在488,553K处有两个热释光峰,但室温附近几乎观察不到热释光峰。 相似文献
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